Communication Dans Un Congrès
Année : 2022
Maxime Darnon : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03831356
Soumis le : mercredi 26 octobre 2022-19:48:09
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-13:00:47
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03831356 , version 1
- DOI : 10.1109/CSW55288.2022.9930445
Citer
Oleh Fesiienko, Camille Petit-Etienne, Maxime Darnon, Ali Soltani, Hassan Maher, et al.. Development of low-damage plasma etching processes for preserving AlGaN/GaN heterostructure integrity in MIS HEMT. Compound Semiconductors weeks, May 2022, Ann Arbor, United States. ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930445⟩. ⟨hal-03831356⟩
Collections
31
Consultations
0
Téléchargements