Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls - École Centrale de Lyon
Article Dans Une Revue Micro and Nano Engineering Année : 2021

Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls

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hal-03171055 , version 1 (06-10-2021)

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Citer

Mathieu de Lafontaine, Erwine Pargon, Camille Petit-Etienne, Sylvain David, Jean-Paul Barnes, et al.. Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls. Micro and Nano Engineering, 2021, pp.100083. ⟨10.1016/j.mne.2021.100083⟩. ⟨hal-03171055⟩
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